S20C45C 20A 45V ไดโอดแคโทดทั่วไป TO-220 การรวมระบบอิเล็กทรอนิกส์

S20C45C 20A 45V ไดโอเดสแคธอดทั่วไป TO-220 การบูรณาการอิเล็กทรอนิกส์

ค้นหาข้อมูลที่นี่ใน stock.xlsx

S20C45C Dual Diode 20A 45V ออกแบบเป็นชิปป้องกัน Schottky ที่ให้ความตึงเครียดลดต่ําไปข้างหน้า เสียงสลับต่ํา และความสามารถในกระแสไฟฟ้าสูงไดโอเดสประเภทนี้มีความสามารถในปัจจุบันสูงและทํางานตามหลักการ Schottky Barrier. Schottky ป้องกันแสดงให้เห็นว่า ป้องกันความเป็นไปได้ของอิเล็กตรอนที่ผลิตที่ผ่าตัดโลหะ-ครึ่งตัวนํา

ไดโอ้ดปรับรั้ว Schottky ที่ใช้กันอย่างแพร่หลายในการใช้งาน RF เช่น ไดโอ้ดผสมหรือตัวตรวจจับเนื่องจากความแรงกดต่ําด้านหน้าของลดลดลดลดลดลดลดความแรงกดลดลดลดลดความเสียของพลังงานทําให้มันเหมาะสมสําหรับการใช้งานพลังงาน เช่น rectifier

ในไดโอ้ด Schotkey นี้ การเชื่อมต่อที่เกิดขึ้นระหว่างโลหะและครึ่งตัวนํา เพื่อสร้างอุปสรรค Schottky ซึ่งด้านโลหะทํางานเป็นแอโนดและครึ่งตัวนําชนิด n ทํางานเป็นแคธอดความตึงเครียดด้านหน้าของไดโอเดสขึ้นอยู่กับการเลือกของผสมของโลหะและครึ่งตัวนํา. ทั้ง p-type และ n-type semiconductor สามารถเพิ่มอุปสรรค Schottky ได้ แต่ p-type semiconductor มีความแตกต่างความแรงต่อหน้าต่ํากับ n-type semiconductor

เนื่องจากความดันทางด้านหน้าจะสัดส่วนกับกระแสออก, นั่นก็คือถ้าความดันนี้ต่ําแล้วกระแสออกทางด้านกลับจะสูง ซึ่งไม่น่าเลือกเรากําลังใช้วัสดุครึ่งประสาทชนิด n ในไดโอด์นี้โดยทั่วไปไดโอเดสใช้พลาตินูม ทองแดงหรือโครเมียม โมลิบเดนูม พาลาเดียมซิลิไซด์ พลาตินูมซิลิไซด์ ทองคํา เป็นต้นเป็นโลหะ

ตามที่แสดงในรูปด้านล่าง เมื่อความกระชับกําลังถูกนําไปใช้กับไดโอเดสในแบบที่โลหะ +Ve ในส่วนของครึ่งตัวนํามันเป็นอุปกรณ์แบบมีขั้วเดียว เพราะมันมีอิเล็กตรอนเป็นตัวบรรทุกค่าส่วนใหญ่ ในทั้งสองข้างของจุดเชื่อมเมื่อสองตัวนี้เข้าสัมผัสกัน อิเล็กตรอนจะเริ่มไหลไปในทั้งสองทิศทาง ผ่านอินเตอร์เฟซโลหะ-ครึ่งประสาท

S20C45C ไดโอเด่คู่ 20A 45V

การใช้งาน

• ใช้สําหรับการปรับความแรงต่ําความถี่สูง
• สามารถใช้เป็นไดโอ้ดป้องกันขั้วโลก
• สามารถใช้เป็นไดโอเดสที่เคลื่อนไหวได้